Chỉ còn vài ngày nữa là đến buổi giới thiệu chính thức của dòng Xiaomi 12S dự kiến vào ngày 4 tháng 12, thương hiệu Trung Quốc đã bắt đầu dự đoán một số tính năng mà chúng ta sẽ tìm thấy trên thiết bị cao cấp nhất, Xiaomi XNUMXS Ultra; chúng ta cùng nhau đi khám phá nhé.
Xiaomi 12S Ultra sắp ra mắt với một số công nghệ mới: đây là những công nghệ
Hãy bắt đầu với hệ thống tản nhiệt mới với “thiết kế sinh học”. Tương tự như nguyên lý của lá cây, mở ra một kênh tốc độ cao để quang hợp và có khả năng dẫn nhiệt cao hơn 100% so với tấm VC truyền thống.
Nói một cách đơn giản, vẫn dựa trên các tấm làm mát VC, công nghệ này cải thiện hiệu quả lưu thông của chất lỏng bên trong, do đó nâng cao hiệu quả tản nhiệt.
Ngoài hệ thống tản nhiệt mới này, bản thân Snapdragon 8+ Gen1 cũng có hiệu suất tiêu thụ điện năng tốt. Trên thực tế, tại Hội nghị thượng đỉnh công nghệ Snapdragon, Wang Xiang đã ca ngợi chipset, nói rằng Snapdragon 8+ Gen1 hoàn toàn không phải là một bản nâng cấp nửa thế hệ đơn giản mà là một bản phát hành mới thực sự. Ông cho biết thêm rằng Xiaomi và Qualcomm đã làm việc cùng nhau trong vài tháng và con chip mới này có hiệu suất tiêu thụ điện năng rất tốt, đạt được một bước tiến kép về hiệu suất và mức tiêu thụ điện năng.
Nhưng nó không kết thúc ở đó, bởi vì cùng với bộ vi xử lý mới và mạnh mẽ, Xiaomi 12S Ultra cũng đi kèm với công nghệ lưu trữ FBO cập nhật lần đầu tiên được sử dụng.
Theo các báo cáo trước đây, công nghệ lưu trữ FBO mới được hỗ trợ bởi các thương hiệu bộ nhớ flash lớn như Western Digital, Micron, Samsung, SK Hynix, Kioxia và Yangtze Memory.
Đồng thời, công nghệ này đã được JEDEC (Hiệp hội tiêu chuẩn hóa ngành bán dẫn quốc tế) công nhận và được đưa vào thông số kỹ thuật chính thức của tiêu chuẩn bộ nhớ flash thế hệ tiếp theo UFS 4.0.
Cũng có thông tin cho rằng công nghệ Xiaomi FBO có thể ngăn chặn hiệu quả sự suy giảm hiệu suất của điện thoại sau khi sử dụng lâu dài và hiệu suất đọc và ghi có thể được khôi phục như mới. Sau 4 năm sử dụng mô phỏng, tốc độ đọc và ghi giảm khoảng 0%.
Theo xác minh trong thời gian dài của các kỹ sư R&D của Xiaomi, Xiaomi 12S Ultra sẽ có tốc độ đọc là 1900 MB / s. Sau hơn 4 năm sử dụng giả lập, tốc độ đọc sẽ giảm xuống còn 400MB / s. Trong khi sau khi khôi phục bằng FBO, tốc độ đọc trở lại 1900 MB / s.
Cuối cùng, Xiaomi tiết lộ rằng 12S Ultra sẽ sử dụng pin anod silicon-oxy thế hệ thứ hai. Loại pin này thường được sử dụng trong các loại xe điện đời mới. Thông qua phương pháp “pha tạp silicon để bổ sung lithium”, vật liệu silicon-oxy giàu lithium ở kích thước nano được thêm vào điện cực âm của pin.
Theo các báo cáo, việc sử dụng vật liệu này giúp loại bỏ các vấn đề về hiệu suất sạc ban đầu thấp của pin silicon-carbon và dễ bị vỡ và tạo thành bột của các hạt silicon, đồng thời giải quyết vấn đề của ngành về vòng đời ngắn của pin ở cực dương silicon.
Thương hiệu cũng cho biết vật liệu cực dương silicon-oxy thế hệ thứ hai cung cấp khả năng lưu trữ lithium-ion gấp bốn lần so với pin lithium truyền thống.
Xiaomi trước đây đã ra mắt công nghệ pin silicon và oxy anode trên Xiaomi Mi 11 Pro / Ultra và đã lắp một viên pin lớn có dung lượng lên tới 5000 mAh vào thân máy mỏng nhẹ của nó. Điều này cho thấy Xiaomi đã đạt được tiến bộ vượt bậc trong công nghệ cốt lõi của pin lithium.
Trong mọi trường hợp, như đã đề cập trước đó, dòng Xiaomi 12S sẽ chính thức được phát hành vào ngày 4 tháng 8. Ngoài thế hệ vi xử lý Snapdragon 1+ GenXNUMX mới, chúng ta cũng sẽ thấy quang học Leica đầu tiên trên các thiết bị của Xiaomi.
Đang được cung cấp trên Amazon
